شراء Toshiba Semiconductor and Storage CMG06(TE12L,Q,M) DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

CMG06(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

رقم القطعة

CMG06(TE12L,Q,M)

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOD-128

حزمة جهاز المورد

M-FLAT (2.4x3.8)

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1.1V @ 1A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

10µA @ 600V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

600V

سرعة

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-40°C ~ 150°C

السعة @ Vr، F

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 12087 PCS

معلومات الاتصال