شراء Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39(TE85L,Q,M) X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

CRZ39(TE85L,Q,M)

X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

رقم القطعة

CRZ39(TE85L,Q,M)

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

تسامح

±10%

الحزمة / القضية

SOD-123F

أقصى القوة

700mW

حزمة جهاز المورد

S-FLAT (1.6x3.5)

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1V @ 200mA

التيار - التسرب العكسي عند Vr

10µA @ 31.2V

الجهد - زينر (نوم) (Vz)

39V

المعاوقة (الحد الأقصى) (Zzt)

35 Ohms

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 14041 PCS

معلومات الاتصال