شراء Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q) IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

GT60N321(Q)

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

رقم القطعة

GT60N321(Q)

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

نوع الإدخال

Standard

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-3PL

أقصى القوة

170W

حزمة جهاز المورد

TO-3P(LH)

عكس وقت الاسترداد (trr)

2.5µs

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

60A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1000V

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

التيار - النبض المجمع (Icm)

120A

تبديل الطاقة

اجره البوابه

Td (تشغيل/إيقاف) عند 25 درجة مئوية

330ns/700ns

شرط الاختبار

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 27318 PCS

معلومات الاتصال