شراء Toshiba Semiconductor and Storage RN1703JE(TE85L,F) TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

RN1703JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

رقم القطعة

RN1703JE(TE85L,F)

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-553

أقصى القوة

100mW

حزمة جهاز المورد

ESV

نوع الترانزستور

2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

50V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

100nA (ICBO)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

التردد - الانتقال

250MHz

المقاوم - القاعدة (R1)

22 kOhms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

22 kOhms

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 8267 PCS

معلومات الاتصال