شراء Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

رقم القطعة

SSM6H19NU,LF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSVII-H

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-UDFN Exposed Pad

حزمة جهاز المورد

6-UDFN (2x2)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1W (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

40V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.2V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

130pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

1.8V, 8V

في جي إس (الحد الأقصى)

±12V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 5561 PCS

معلومات الاتصال