شراء Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SSM6J213FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

رقم القطعة

SSM6J213FE(TE85L,F

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSVI

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-563, SOT-666

حزمة جهاز المورد

ES6

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

500mW (Ta)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

2.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

103 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

290pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

1.5V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±8V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 12557 PCS

معلومات الاتصال