شراء Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU,LF MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SSM6J505NU,LF

MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

رقم القطعة

SSM6J505NU,LF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSVI

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-WDFN Exposed Pad

حزمة جهاز المورد

6-UDFNB (2x2)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.25W (Ta)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

12 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

37.6nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2700pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

1.2V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±6V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 44005 PCS

معلومات الاتصال