شراء Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE,LM MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SSM6N36FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

رقم القطعة

SSM6N36FE,LM

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

SOT-563, SOT-666

أقصى القوة

150mW

حزمة جهاز المورد

ES6 (1.6x1.6)

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

500mA

Rds On (Max) @ Id، Vgs

630 mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

1.23nC @ 4V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

46pF @ 10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 9145 PCS

معلومات الاتصال