شراء Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N57NU,LF MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SSM6N57NU,LF

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

رقم القطعة

SSM6N57NU,LF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-WDFN Exposed Pad

أقصى القوة

حزمة جهاز المورد

6-µDFN(2x2)

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Standard

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

Rds On (Max) @ Id، Vgs

46 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

4nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

310pF @ 10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 26896 PCS

معلومات الاتصال