شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z,S1F PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK040N65Z,S1F

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

رقم القطعة

TK040N65Z,S1F

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

حالة الجزء

Active

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-247-3

حزمة جهاز المورد

TO-247

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

360W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

650V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

57A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

40 mOhm @ 28.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 2.85mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

105nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6250pF @ 300V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 14155 PCS

معلومات الاتصال