شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1,S4X MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK30A06N1,S4X

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

رقم القطعة

TK30A06N1,S4X

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSVIII-H

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-220-3 Full Pack

حزمة جهاز المورد

TO-220SIS

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

25W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

15 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 200µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

16nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1050pF @ 30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 16243 PCS

معلومات الاتصال