شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W,S1VF MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK39N60W,S1VF

MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

رقم القطعة

TK39N60W,S1VF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

DTMOSIV

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-247-3

حزمة جهاز المورد

TO-247

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

270W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

Super Junction

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

38.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.7V @ 1.9mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

110nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4100pF @ 300V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 5752 PCS

معلومات الاتصال