شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL,S1X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK3R1E04PL,S1X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

رقم القطعة

TK3R1E04PL,S1X

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSIX-H

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-220-3

حزمة جهاز المورد

TO-220

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

87W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

40V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

3.8 mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.4V @ 500µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

63.4nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4670pF @ 20V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 40429 PCS

معلومات الاتصال