شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB(T6RSS-Q) MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK4P60DB(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3

رقم القطعة

TK4P60DB(T6RSS-Q)

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

π-MOSVII

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

D-Pak

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

80W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

600V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

3.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

2 Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4.4V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

11nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

540pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 8965 PCS

معلومات الاتصال