شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y,S4X MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK560A65Y,S4X

MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS

رقم القطعة

TK560A65Y,S4X

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

DTMOSV

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-220-3 Full Pack

حزمة جهاز المورد

TO-220SIS

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

30W

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

650V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

560 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 240µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

14.5nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

380pF @ 300V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 21288 PCS

معلومات الاتصال