شراء Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W,S1X MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TK7E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

رقم القطعة

TK7E80W,S1X

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

DTMOSIV

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-220-3

حزمة جهاز المورد

TO-220

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

110W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

800V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

6.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

950 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 280µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

13nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

700pF @ 300V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 12815 PCS

معلومات الاتصال