TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
رقم القطعة
TK7S10N1Z,LQ
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
U-MOSVIII-H
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
DPAK+
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
48 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 100µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.1nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
470pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46478 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لTK7S10N1Z,LQ
TK7S10N1Z,LQ مكونات الكترونية
TK7S10N1Z,LQ مبيعات
TK7S10N1Z,LQ المورد
TK7S10N1Z,LQ موزع
TK7S10N1Z,LQ جدول البيانات
TK7S10N1Z,LQ الصور
TK7S10N1Z,LQ سعر
TK7S10N1Z,LQ يعرض
TK7S10N1Z,LQ أقل سعر
TK7S10N1Z,LQ يبحث
TK7S10N1Z,LQ شراء
TK7S10N1Z,LQ رقاقة