شراء Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8101(TE85L,F,M MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TPCF8101(TE85L,F,M

MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

رقم القطعة

TPCF8101(TE85L,F,M

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSIII

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SMD, Flat Lead

حزمة جهاز المورد

VS-8 (2.9x1.5)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

700mW (Ta)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

28 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.2V @ 200µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

18nC @ 5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1600pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

1.8V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±8V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 30799 PCS

معلومات الاتصال