شراء Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH,L1Q MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

TPH6400ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

رقم القطعة

TPH6400ENH,L1Q

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSVIII-H

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

8-SOP Advance (5x5)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.6W (Ta), 57W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

200V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

13A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

64 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 300µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

11.2nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1100pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 53377 PCS

معلومات الاتصال