شراء Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

TPWR8004PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP

رقم القطعة

TPWR8004PL,L1Q

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

U-MOSIX-H

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

8-DSOP Advance

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1W (Ta), 170W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

40V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

150A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

0.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.4V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

103nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

9600pF @ 20V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 33248 PCS

معلومات الاتصال