شراء Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

TRS12E65C,S1Q

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

رقم القطعة

TRS12E65C,S1Q

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-220-2

حزمة جهاز المورد

TO-220-2L

نوع الصمام الثنائي

Silicon Carbide Schottky

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

12A (DC)

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1.7V @ 12A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

90µA @ 170V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

650V

سرعة

No Recovery Time > 500mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

0ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

175°C (Max)

السعة @ Vr، F

65pF @ 650V, 1MHz

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 23160 PCS

معلومات الاتصال