شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FB190SA10 MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-FB190SA10

MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

رقم القطعة

VS-FB190SA10

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

SOT-227-4, miniBLOC

حزمة جهاز المورد

SOT-227

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

568W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

190A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

6.5 mOhm @ 180A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4.35V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

250nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

10700pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 43107 PCS

معلومات الاتصال