شراء Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FC80NA20 MOSFET N-CH 200V 108A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

VS-FC80NA20

MOSFET N-CH 200V 108A

رقم القطعة

VS-FC80NA20

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Semiconductor Diodes Division

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Bulk

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

SOT-227-4, miniBLOC

حزمة جهاز المورد

SOT-227

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

405W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

200V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

108A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

14 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

5.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

161nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

10720pF @ 50V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 18576 PCS

معلومات الاتصال