قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRF640STRL

IRF640STRL

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
رقم القطعة
IRF640STRL
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 19825 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIRF640STRL
IRF640STRL مكونات الكترونية
IRF640STRL مبيعات
IRF640STRL المورد
IRF640STRL موزع
IRF640STRL جدول البيانات
IRF640STRL الصور
IRF640STRL سعر
IRF640STRL يعرض
IRF640STRL أقل سعر
IRF640STRL يبحث
IRF640STRL شراء
IRF640STRL رقاقة