قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRFS11N50ATRLP

IRFS11N50ATRLP

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
رقم القطعة
IRFS11N50ATRLP
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
TO-263AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1423pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 10395 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIRFS11N50ATRLP
IRFS11N50ATRLP مكونات الكترونية
IRFS11N50ATRLP مبيعات
IRFS11N50ATRLP المورد
IRFS11N50ATRLP موزع
IRFS11N50ATRLP جدول البيانات
IRFS11N50ATRLP الصور
IRFS11N50ATRLP سعر
IRFS11N50ATRLP يعرض
IRFS11N50ATRLP أقل سعر
IRFS11N50ATRLP يبحث
IRFS11N50ATRLP شراء
IRFS11N50ATRLP رقاقة