قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4010DY-T1-GE3

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
رقم القطعة
SI4010DY-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TA)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
3.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
77nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3595pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
+20V, -16V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 6078 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI4010DY-T1-GE3
SI4010DY-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI4010DY-T1-GE3 مبيعات
SI4010DY-T1-GE3 المورد
SI4010DY-T1-GE3 موزع
SI4010DY-T1-GE3 جدول البيانات
SI4010DY-T1-GE3 الصور
SI4010DY-T1-GE3 سعر
SI4010DY-T1-GE3 يعرض
SI4010DY-T1-GE3 أقل سعر
SI4010DY-T1-GE3 يبحث
SI4010DY-T1-GE3 شراء
SI4010DY-T1-GE3 رقاقة