قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI7403BDN-T1-E3

SI7403BDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8
رقم القطعة
SI7403BDN-T1-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
74 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
430pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
2.5V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 51111 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI7403BDN-T1-E3
SI7403BDN-T1-E3 مكونات الكترونية
SI7403BDN-T1-E3 مبيعات
SI7403BDN-T1-E3 المورد
SI7403BDN-T1-E3 موزع
SI7403BDN-T1-E3 جدول البيانات
SI7403BDN-T1-E3 الصور
SI7403BDN-T1-E3 سعر
SI7403BDN-T1-E3 يعرض
SI7403BDN-T1-E3 أقل سعر
SI7403BDN-T1-E3 يبحث
SI7403BDN-T1-E3 شراء
SI7403BDN-T1-E3 رقاقة