شراء Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SI7703EDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

رقم القطعة

SI7703EDN-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® 1212-8

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® 1212-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.3W (Ta)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

Schottky Diode (Isolated)

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

4.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

48 mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 800µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

18nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

1.8V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±12V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 52198 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8