قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIE726DF-T1-GE3

SIE726DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
رقم القطعة
SIE726DF-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
SkyFET®, TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
10-PolarPAK® (L)
حزمة جهاز المورد
10-PolarPAK® (L)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7400pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 12345 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIE726DF-T1-GE3
SIE726DF-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIE726DF-T1-GE3 مبيعات
SIE726DF-T1-GE3 المورد
SIE726DF-T1-GE3 موزع
SIE726DF-T1-GE3 جدول البيانات
SIE726DF-T1-GE3 الصور
SIE726DF-T1-GE3 سعر
SIE726DF-T1-GE3 يعرض
SIE726DF-T1-GE3 أقل سعر
SIE726DF-T1-GE3 يبحث
SIE726DF-T1-GE3 شراء
SIE726DF-T1-GE3 رقاقة