قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHB065N60E-GE3

SIHB065N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2
رقم القطعة
SIHB065N60E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
E
حالة الجزء
Active
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D²PAK (TO-263)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
65 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2700pF @ 100V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 23064 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHB065N60E-GE3
SIHB065N60E-GE3 مكونات الكترونية
SIHB065N60E-GE3 مبيعات
SIHB065N60E-GE3 المورد
SIHB065N60E-GE3 موزع
SIHB065N60E-GE3 جدول البيانات
SIHB065N60E-GE3 الصور
SIHB065N60E-GE3 سعر
SIHB065N60E-GE3 يعرض
SIHB065N60E-GE3 أقل سعر
SIHB065N60E-GE3 يبحث
SIHB065N60E-GE3 شراء
SIHB065N60E-GE3 رقاقة