قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A TO263
رقم القطعة
SIHB15N65E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D²Pak)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
34W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
280 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
96nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1640pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 23352 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHB15N65E-GE3
SIHB15N65E-GE3 مكونات الكترونية
SIHB15N65E-GE3 مبيعات
SIHB15N65E-GE3 المورد
SIHB15N65E-GE3 موزع
SIHB15N65E-GE3 جدول البيانات
SIHB15N65E-GE3 الصور
SIHB15N65E-GE3 سعر
SIHB15N65E-GE3 يعرض
SIHB15N65E-GE3 أقل سعر
SIHB15N65E-GE3 يبحث
SIHB15N65E-GE3 شراء
SIHB15N65E-GE3 رقاقة