قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
رقم القطعة
SIHB28N60EF-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
123 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2714pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 31185 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHB28N60EF-GE3
SIHB28N60EF-GE3 مكونات الكترونية
SIHB28N60EF-GE3 مبيعات
SIHB28N60EF-GE3 المورد
SIHB28N60EF-GE3 موزع
SIHB28N60EF-GE3 جدول البيانات
SIHB28N60EF-GE3 الصور
SIHB28N60EF-GE3 سعر
SIHB28N60EF-GE3 يعرض
SIHB28N60EF-GE3 أقل سعر
SIHB28N60EF-GE3 يبحث
SIHB28N60EF-GE3 شراء
SIHB28N60EF-GE3 رقاقة