SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252
رقم القطعة
SIHD240N60E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
E
حالة الجزء
Active
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
D-PAK (TO-252AA)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
78W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
783pF @ 100V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 22207 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSIHD240N60E-GE3
SIHD240N60E-GE3 مكونات الكترونية
SIHD240N60E-GE3 مبيعات
SIHD240N60E-GE3 المورد
SIHD240N60E-GE3 موزع
SIHD240N60E-GE3 جدول البيانات
SIHD240N60E-GE3 الصور
SIHD240N60E-GE3 سعر
SIHD240N60E-GE3 يعرض
SIHD240N60E-GE3 أقل سعر
SIHD240N60E-GE3 يبحث
SIHD240N60E-GE3 شراء
SIHD240N60E-GE3 رقاقة