شراء Vishay Siliconix SIHD4N80E-GE3 MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SIHD4N80E-GE3

MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

رقم القطعة

SIHD4N80E-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Bulk

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

حزمة جهاز المورد

D-PAK (TO-252AA)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

69W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

800V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

4.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

1.27 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

32nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

622pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 16739 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK