شراء Vishay Siliconix SIHG11N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SIHG11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

رقم القطعة

SIHG11N80E-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-247-3

حزمة جهاز المورد

TO-247AC

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

179W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

800V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

440 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

88nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1670pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 20279 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIHG039N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO247AC