قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
رقم القطعة
SIHG73N60E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
520W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
39 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
362nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7700pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 33130 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHG73N60E-GE3
SIHG73N60E-GE3 مكونات الكترونية
SIHG73N60E-GE3 مبيعات
SIHG73N60E-GE3 المورد
SIHG73N60E-GE3 موزع
SIHG73N60E-GE3 جدول البيانات
SIHG73N60E-GE3 الصور
SIHG73N60E-GE3 سعر
SIHG73N60E-GE3 يعرض
SIHG73N60E-GE3 أقل سعر
SIHG73N60E-GE3 يبحث
SIHG73N60E-GE3 شراء
SIHG73N60E-GE3 رقاقة