قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHP100N60E-GE3
MOSFET E SERIES 600V TO-220AB
رقم القطعة
SIHP100N60E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
E
حالة الجزء
Active
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1851pF @ 100V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 53517 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSIHP100N60E-GE3
SIHP100N60E-GE3 مكونات الكترونية
SIHP100N60E-GE3 مبيعات
SIHP100N60E-GE3 المورد
SIHP100N60E-GE3 موزع
SIHP100N60E-GE3 جدول البيانات
SIHP100N60E-GE3 الصور
SIHP100N60E-GE3 سعر
SIHP100N60E-GE3 يعرض
SIHP100N60E-GE3 أقل سعر
SIHP100N60E-GE3 يبحث
SIHP100N60E-GE3 شراء
SIHP100N60E-GE3 رقاقة