قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHP18N50C-E3

SIHP18N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 18A TO220
رقم القطعة
SIHP18N50C-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Bulk
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
223W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
270 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
76nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2942pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 9937 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHP18N50C-E3
SIHP18N50C-E3 مكونات الكترونية
SIHP18N50C-E3 مبيعات
SIHP18N50C-E3 المورد
SIHP18N50C-E3 موزع
SIHP18N50C-E3 جدول البيانات
SIHP18N50C-E3 الصور
SIHP18N50C-E3 سعر
SIHP18N50C-E3 يعرض
SIHP18N50C-E3 أقل سعر
SIHP18N50C-E3 يبحث
SIHP18N50C-E3 شراء
SIHP18N50C-E3 رقاقة