قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHP21N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
رقم القطعة
SIHP21N60EF-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
227W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
176 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
84nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2030pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 15594 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSIHP21N60EF-GE3
SIHP21N60EF-GE3 مكونات الكترونية
SIHP21N60EF-GE3 مبيعات
SIHP21N60EF-GE3 المورد
SIHP21N60EF-GE3 موزع
SIHP21N60EF-GE3 جدول البيانات
SIHP21N60EF-GE3 الصور
SIHP21N60EF-GE3 سعر
SIHP21N60EF-GE3 يعرض
SIHP21N60EF-GE3 أقل سعر
SIHP21N60EF-GE3 يبحث
SIHP21N60EF-GE3 شراء
SIHP21N60EF-GE3 رقاقة