قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
رقم القطعة
SIHP30N60E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
E
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2600pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 44106 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3 مكونات الكترونية
SIHP30N60E-GE3 مبيعات
SIHP30N60E-GE3 المورد
SIHP30N60E-GE3 موزع
SIHP30N60E-GE3 جدول البيانات
SIHP30N60E-GE3 الصور
SIHP30N60E-GE3 سعر
SIHP30N60E-GE3 يعرض
SIHP30N60E-GE3 أقل سعر
SIHP30N60E-GE3 يبحث
SIHP30N60E-GE3 شراء
SIHP30N60E-GE3 رقاقة