قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHP35N60EF-GE3

SIHP35N60EF-GE3

MOSFET N-CH TO-220AB
رقم القطعة
SIHP35N60EF-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
EF
حالة الجزء
Active
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
97 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
134nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2568pF @ 100V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 12158 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHP35N60EF-GE3
SIHP35N60EF-GE3 مكونات الكترونية
SIHP35N60EF-GE3 مبيعات
SIHP35N60EF-GE3 المورد
SIHP35N60EF-GE3 موزع
SIHP35N60EF-GE3 جدول البيانات
SIHP35N60EF-GE3 الصور
SIHP35N60EF-GE3 سعر
SIHP35N60EF-GE3 يعرض
SIHP35N60EF-GE3 أقل سعر
SIHP35N60EF-GE3 يبحث
SIHP35N60EF-GE3 شراء
SIHP35N60EF-GE3 رقاقة