قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
رقم القطعة
SIHP7N60E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Bulk
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
78W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46279 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHP7N60E-GE3
SIHP7N60E-GE3 مكونات الكترونية
SIHP7N60E-GE3 مبيعات
SIHP7N60E-GE3 المورد
SIHP7N60E-GE3 موزع
SIHP7N60E-GE3 جدول البيانات
SIHP7N60E-GE3 الصور
SIHP7N60E-GE3 سعر
SIHP7N60E-GE3 يعرض
SIHP7N60E-GE3 أقل سعر
SIHP7N60E-GE3 يبحث
SIHP7N60E-GE3 شراء
SIHP7N60E-GE3 رقاقة