قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHU5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
رقم القطعة
SIHU5N50D-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
TO-251
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
104W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
325pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 47246 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSIHU5N50D-GE3
SIHU5N50D-GE3 مكونات الكترونية
SIHU5N50D-GE3 مبيعات
SIHU5N50D-GE3 المورد
SIHU5N50D-GE3 موزع
SIHU5N50D-GE3 جدول البيانات
SIHU5N50D-GE3 الصور
SIHU5N50D-GE3 سعر
SIHU5N50D-GE3 يعرض
SIHU5N50D-GE3 أقل سعر
SIHU5N50D-GE3 يبحث
SIHU5N50D-GE3 شراء
SIHU5N50D-GE3 رقاقة