قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHU7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
رقم القطعة
SIHU7N60E-E3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
TO-251
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
78W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46242 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSIHU7N60E-E3
SIHU7N60E-E3 مكونات الكترونية
SIHU7N60E-E3 مبيعات
SIHU7N60E-E3 المورد
SIHU7N60E-E3 موزع
SIHU7N60E-E3 جدول البيانات
SIHU7N60E-E3 الصور
SIHU7N60E-E3 سعر
SIHU7N60E-E3 يعرض
SIHU7N60E-E3 أقل سعر
SIHU7N60E-E3 يبحث
SIHU7N60E-E3 شراء
SIHU7N60E-E3 رقاقة