قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
رقم القطعة
SIHW30N60E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-3P-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-247AD
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2600pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 36482 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHW30N60E-GE3
SIHW30N60E-GE3 مكونات الكترونية
SIHW30N60E-GE3 مبيعات
SIHW30N60E-GE3 المورد
SIHW30N60E-GE3 موزع
SIHW30N60E-GE3 جدول البيانات
SIHW30N60E-GE3 الصور
SIHW30N60E-GE3 سعر
SIHW30N60E-GE3 يعرض
SIHW30N60E-GE3 أقل سعر
SIHW30N60E-GE3 يبحث
SIHW30N60E-GE3 شراء
SIHW30N60E-GE3 رقاقة