قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIJ188DP-T1-GE3

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
رقم القطعة
SIJ188DP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET® Gen IV
حالة الجزء
Active
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
Rds On (Max) @ Id، Vgs
3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3.6V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1920pF @ 30V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
7.5V, 10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 45200 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIJ188DP-T1-GE3
SIJ188DP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIJ188DP-T1-GE3 مبيعات
SIJ188DP-T1-GE3 المورد
SIJ188DP-T1-GE3 موزع
SIJ188DP-T1-GE3 جدول البيانات
SIJ188DP-T1-GE3 الصور
SIJ188DP-T1-GE3 سعر
SIJ188DP-T1-GE3 يعرض
SIJ188DP-T1-GE3 أقل سعر
SIJ188DP-T1-GE3 يبحث
SIJ188DP-T1-GE3 شراء
SIJ188DP-T1-GE3 رقاقة