قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIR800ADP-T1-GE3

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8
رقم القطعة
SIR800ADP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET® Gen IV
حالة الجزء
Active
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
50.2A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.35 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
53nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3415pF @ 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
+12V, -8V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
2.5V, 10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 23730 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIR800ADP-T1-GE3
SIR800ADP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIR800ADP-T1-GE3 مبيعات
SIR800ADP-T1-GE3 المورد
SIR800ADP-T1-GE3 موزع
SIR800ADP-T1-GE3 جدول البيانات
SIR800ADP-T1-GE3 الصور
SIR800ADP-T1-GE3 سعر
SIR800ADP-T1-GE3 يعرض
SIR800ADP-T1-GE3 أقل سعر
SIR800ADP-T1-GE3 يبحث
SIR800ADP-T1-GE3 شراء
SIR800ADP-T1-GE3 رقاقة