قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
رقم القطعة
SIR826ADP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.8V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
86nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800pF @ 40V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 29307 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIR826ADP-T1-GE3
SIR826ADP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIR826ADP-T1-GE3 مبيعات
SIR826ADP-T1-GE3 المورد
SIR826ADP-T1-GE3 موزع
SIR826ADP-T1-GE3 جدول البيانات
SIR826ADP-T1-GE3 الصور
SIR826ADP-T1-GE3 سعر
SIR826ADP-T1-GE3 يعرض
SIR826ADP-T1-GE3 أقل سعر
SIR826ADP-T1-GE3 يبحث
SIR826ADP-T1-GE3 شراء
SIR826ADP-T1-GE3 رقاقة