قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
رقم القطعة
SIR838DP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
150V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
33 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2075pF @ 75V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 5884 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIR838DP-T1-GE3
SIR838DP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIR838DP-T1-GE3 مبيعات
SIR838DP-T1-GE3 المورد
SIR838DP-T1-GE3 موزع
SIR838DP-T1-GE3 جدول البيانات
SIR838DP-T1-GE3 الصور
SIR838DP-T1-GE3 سعر
SIR838DP-T1-GE3 يعرض
SIR838DP-T1-GE3 أقل سعر
SIR838DP-T1-GE3 يبحث
SIR838DP-T1-GE3 شراء
SIR838DP-T1-GE3 رقاقة