قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
رقم القطعة
SIR876DP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.8V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1640pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 41156 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIR876DP-T1-GE3
SIR876DP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIR876DP-T1-GE3 مبيعات
SIR876DP-T1-GE3 المورد
SIR876DP-T1-GE3 موزع
SIR876DP-T1-GE3 جدول البيانات
SIR876DP-T1-GE3 الصور
SIR876DP-T1-GE3 سعر
SIR876DP-T1-GE3 يعرض
SIR876DP-T1-GE3 أقل سعر
SIR876DP-T1-GE3 يبحث
SIR876DP-T1-GE3 شراء
SIR876DP-T1-GE3 رقاقة